主頻3.1GHz!華為麒麟2026芯片已流片成功:等效達3nm水平
近日,華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波署名的論文《多層電子系統的時間縮放理論》正式提交至中國科學院科技論文預發布平臺(ChinaXiv),系統闡述了"韜(τ)定律",并披露了華為麒麟、昇騰系列芯片的部分路線圖規劃。
論文首次明確了麒麟系列芯片未來四年的研發規劃——麒麟2026、2027、2028、2029。其中,將于今年秋季發布的麒麟2026是首款“韜定律芯片”,主頻3.1GHz,也是邏輯折疊技術架構首次落地實施,后續所有芯片均采用這一架構體系。
至于麒麟芯片的后續命名,2026-2029大概率只是代號。預計麒麟2026依然會采用麒麟9050 Pro的命名。


芯片狀態一欄,今年秋季要發布的麒麟2026 芯片,以及明年的麒麟2027芯片被標記為標記為Silicon(硅后)狀態(完整表述為Post-silicon,表格中因與Pre-silicon對應做了簡寫),指芯片已經完成流片(Tape-out),從晶圓廠獲得了實際的硅片樣品,進入芯片級測試、調試和良率提升的階段。
而麒麟2028、2029芯片還處于 Pre-silicon(硅前)狀態,指芯片尚未提交流片,完全處于設計、仿真和驗證的軟件階段。所有工作都在計算機上完成,沒有生產出任何實際的硅片。意味著架構設計已經確定,但還在進行細節優化和仿真驗證,距離流片還有一段時間。
在未來十年中,華為邏輯折疊預計將從局部關鍵路徑折疊發展到全規模、多層折疊,每個封裝三層、四層甚至更多層。
從2026年到2035年,晶體管密度預計將達到400MTr/平方毫米甚至更高。
同時,邏輯折疊使麒麟芯片能夠顯著提升CPU核心頻率,并為達到4GHz及以上鋪平道路。該路線圖是可行的,并且在成本方面,經濟上也是可行的。

5月25日,華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波發表題為《半導體新路徑探索與實踐》的主旨演講,從演講現場展示的官方PPT來看,麒麟2026芯片的晶體管密度大幅提升了53.5%,達到了的238MTr/平方毫米這意味著每平方毫米的芯片面積上,可以集成2.38億個晶體管,理論上與Intel 18A工藝持平,接近初代臺積電3nm。
與此同時,芯片的P核能效提升了41%,最高頻率也提升了12.7%,實現了性能與能效的雙重飛躍。
值得一提的是,日前在深圳舉行的“2026鳳凰灣區財經論壇 · 金融峰會”上,華為金融系統部CTO鄭俊在主旨演講中表示,華為依托韜(τ)定律,在產業鏈協同與國家自主技術支持下,完整打通芯片制造從上游硅元設計到封裝測試的全工藝、全供應鏈環節。基于韜(τ)定律研發的芯片已應用于華為Mate 90機型,已經實現等效3nm 的水平。
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